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21-05-28
本願発明はメモリセル及びメモリアレイに関するものであり、韓国特許庁(KIPO)は、再審査請求時の補正により本出願に対し進歩性欠如の新たな拒絶理由が発生したことを理由に補正却下し、補正前の発明は前回の拒絶決定書にて提示された引用発明の結合に比べ進歩性がないという理由により、該当出願を最終的に拒絶しました。しかし、LEE INTERNATIONALは、当該補正却下決定及び拒絶決定を不服として特許審判院(IPTAB)に不服審判を請求しました。特許審判院は、引用発明7に基づく補正却下決定は適法ではなく、請求された発明と引用発明1ないし6との構成及び効果の差異による技術的意義が認められなければならないという当方の主張を認め、補正却下決定及び拒絶決定を取り消す旨の審決を2021年4月19日に下した後、当該出願を審査部へ差し戻しました。
本願発明は、メモリセルの楕円状のビットにおいて、自由層の磁気モーメントを楕円状のビットの長い軸に実質的に整列するように配置し、基準層の磁気モーメントは楕円状のビットの長い軸と異なる角度で配置することにより、インキュベーション時間を除去し、スイッチ効率及び一貫性を向上させることを技術的特徴とします。審査官は、請求された発明の技術的特徴が補正却下決定書にて新たに引用した引用発明7に開示されているという立場を取りました。しかし、LEE INTERNATIONALは、ⅰ)基準層の磁気モーメントを楕円状のビットの長い軸と異なる角度で配置する構成は引用発明7に開示されておらず、ⅱ)当該構成により得られる、インキュベーション時間を除去し、スイッチング効率及び一貫性を向上させる効果も引用発明7とは異なると判断しました。そこで、補正却下決定及び拒絶決定の不当性を争うために、LEE INTERNATIONALは、特許審判院に拒絶決定不服審判を請求しました。審判段階において、LEE INTERNATIONALは、技術説明会を通して、請求された発明の技術的特徴に関する構成、及び当該構成による効果を詳しく説明し、このような技術的特徴に基づいて引用発明7との差異点を詳しく説明しました。具体的に、審査官の指摘とは異なり、引用発明7に開示された固定層と自由層の磁化方向に関する各構成は、請求された発明において基準層の磁気モーメントを楕円状のビットの長い軸と異なる角度で配置する構成と異なる構成であることを説明し、このような構成の差異により、引用発明7と区別される効果が得られることを強調しました。また、引用発明7に基づく補正却下決定が適法でないことを前提として、請求された発明が引用発明1ないし6の組合せからも容易に導き出せないことを主張しました。具体的に、請求された発明において、自由層の磁気モーメントを楕円状のビットの長い軸に実質的に整列するように配置し、基準層の磁気モーメントを楕円状のビットの長い軸と異なる角度で配置する構成は引用発明1にも開示されておらず、引用発明1の開示内容を考慮すると、引用発明1において自由層の磁気モーメントを楕円状のビットの長い軸に実質的に整列するように設計変更することは、引用発明1の目的に反することを説明しました。これに対して特許審判院は、LEE INTERNATIONALの主張を受け入れ、当該出願に対する引用発明7に基づく補正却下決定は適法ではないことを認め、ひいては、請求された発明の引用発明1ないし6に対する進歩性を確認する審決を下しました。
本事案は、請求された発明の特許性が否認された場合、ⅰ)引用発明との構成及びそれによる効果の差異を明確に提示し、ⅱ)引用発明の目的を考慮するとき、引用発明の構成を請求された発明の構成に設計変更することは容易ではないことを主張する方式で対応可能であることを示す参考例となり得ると思われます。
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